Struttura della giunzione p-n
Due aree compongono la giunzione p-n: uno strato p che ha un eccesso di lacune e uno strato n che ha un eccesso di elettroni. Il drogaggio può essere utilizzato per produrre eccedenze di elettroni e lacune. Il luogo in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N) è noto come "giunzione".
Formazione della zona di svuotamento
Una barriera di potenziale si crea in una stretta zona di transizione tra la zona p e la zona n a causa di una variazione improvvisa nel tipo di drogaggio del semiconduttore. Questa variazione è nota come giunzione p-n. Se mettiamo i due strati (di tipo P e N) vicini l’uno all’altro, si crea una zona di svuotamento nella giunzione.
Funzionamento di un transistor
Le due correnti iU ed ib escono poi dall’emettitore, come già visto. Quando si applica una tensione positiva alla base con una configurazione simile, il carico U viene alimentato. Il transistor è un interruttore pilotato dalla tensione. La tensione in ingresso alla base è superiore alla soglia. La corrente (cortocircuito) passa tra C ed E.