Quando un BJT e interdetto?
Il BJT è interdetto quando nessuna delle due giunzioni è in grado di condurre, o perchè è polarizzata inversamente o perchè è polarizzata direttamente in modo insufficiente o perchè è cortocircuitata.
Tenendo conto di questo,, in quale zona di funzionamento il bjt presenta la giunzione base collettore polarizzata direttamente?
Conside- riamo la modalit`a di funzionamento pi`u tipica, cio`e quella nella quale la giunzione base-emettitore viene polarizzata direttamente, mentre quella base-collettore risulta polarizzata inversamente. Allora,, quando un bjt e in zona attiva? Si dice che il BJT è polarizzato in zona attiva (o in zona lineare o forward active region) quando si verificano due condizioni: la giunzione fra base ed emettitore è polarizzata direttamente con una tensione di circa 0,6-0,7 V; la tensione fra collettore ed emettitore è maggiore di circa 0,3 V.
Come scegliere il tipo di transistor?
Il guadagno di corrente viene solitamente indicato come β o hfe. Esso è il rapporto tra la corrente di base e la corrente del collettore e una misura della capacità di amplificazione del transistor. Se desideri utilizzare il transistor come amplificatore, scegli un transistor con un guadagno di corrente maggiore. Come si alimenta un transistor? Come funzionano i due tipi di transistor Come già si è visto, le due correnti iU ed ib escono poi dall'emettitore. Con una simile configurazione, quindi, il carico U viene alimentato quando si applica una tensione positiva alla base.
Come si chiama la zona del semiconduttore a cavallo della giunzione pn?
La regione di confine tra i blocchi di tipo P e di tipo N è detta zona/regione di carica spaziale (o di svuotamento); in questo volume i portatori, rispettivamente del lato p e del lato n, di fronte al forte gradiente dovuto al diverso tipo di drogaggio, diffondono nel semiconduttore adiacente (generando una corrente Rispetto a questo,, cosa caratterista la zona n? Tra la zona p e la zona n si crea una stretta zona di transizione in cui, a causa della variazione brusca nel tipo del drogaggio del semiconduttore (da cui il nome giunzione p-n), si crea una barriera di potenziale.
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