Come vengono prodotti i transistor da 14 nm?

Più o meno nello stesso modo in cui vengono realizzati i transistor più grandi sui circuiti integrati. I materiali vengono depositati e planarizzati usando la lucidatura chimico-meccanica, viene applicato un fotoresist, il fotoresist viene esposto attraverso una maschera usando una luce UV profonda, il fotoresist viene polimerizzato e inciso, il materiale di base viene inciso (dove non è mascherato dal fotoresist rimanente), e il fotoresist viene rimosso.

A 14 nm, fare la maschera è difficile, a causa del fatto che si sta cercando di fare caratteristiche più piccole della lunghezza d'onda della luce UV utilizzata. Per fare questo, si usano diversi trucchi come l'interferenza di fase e la doppia mascheratura. La maschera risultante non assomiglia molto alla maggior parte delle caratteristiche che vengono realizzate. È un processo molto complesso e costoso per fare queste maschere.

La più grande differenza è che (IIRC) tutti i transistor da 14 nm sono finFET, non planari. FinFET - Wikipedia Senza usare i finFET, è difficile ottenere abbastanza corrente da un transistor da 14 nm.